IGBT(絕緣柵雙極晶體管)什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是"InsulatedGateBipolarTransistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據其分別可支持的開關速度，BIPOLAR適用于中速開關，MOSFET則適用于高頻領域。IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，通過這兩者的復合化，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時也是兼顧低飽和電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。MOSFET是指半導體元件的結構為Metal（金屬）-Oxide（半導體氧化物）-Semiconductor（半導體）的三層結構的Field-EffectTransistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。IGBT的應用范圍功率半導體的應用范圍功率半導體分為以元件單位構成的分立式元器件(Discrete)部件和由該基本部件組成的模塊(Module)。IGBT也同樣存在分立式元器件和模塊之分，并分別有其適合的應用范圍。下圖所示為以IGBT為主的功率半導體在開關（工作）頻率與輸出電容關系圖中的應用范圍。IGBT的市場IGBT的應用領域作為功率半導體的IGBT被應用于從車載用途到工業設備、消費電子等各種用途。從以電車及HEV/EV等高輸出電容的三相電機控制逆變器用途，到UPS、工業設備電源等的升壓控制用途、IH(電磁感應加熱)家用炊具的共振用途等，其用途正在逐漸擴大。下圖對IGBT的應用領域進行了匯總。來源：ROHM作者：ROHM聲明：本文由作者原創，文章內容系作者個人觀點，電子發燒友轉載僅作為傳達一種不同觀點，不代表電子發燒友網對該觀點的贊同或支持，如有異議，歡迎聯系電子發燒友網。

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